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B1500A 반도체 디바이스 분석기
테스트 적용 범위 | 지원 모듈 | 주요 사양 | 주요 특징 | |
DC 및 펄스형 IV 측정 | B1510A 고전력 소싱 /측정 장치 (HPSMU) | ? 최고 200 V/1A ? 최소 10 fA/2 μV 분해능 | ? 최소 100 μs 샘플링 (타임 도메인) 측정 ? 최소 500 μs 펄스폭과 100 μs 분해능 ? 준정적 커패시턴스 전압 (QSCV) 측정 및 누설 전류 보상 | ? 4-사분면 작동 ? Kelvin(4-와이어) 연결 ? 스폿, 스위프, 기타 기능 |
B1511B 중전력 소싱 /측정 장치 (MPSMU) | ? 최고 100 V/0.1 A ? 최소 10 fA/0.5 μV 분해능 ? 0.1 fA 및 IV/CV 스위칭을 위한 ASU 옵션 | |||
B1517A 고분해능 소싱 /측정 장치 (HRSMU) | ? 최고 100 V/0.1 A ? 최소 1 fA/0.5 μV 분해능 ? 0.1 fA 및 IV/CV 스위칭을 위한 ASU 옵션 | |||
B1514A 50 μs 펄스 중전류 소싱 /측정 장치 (MCSM U) | 최고 30 V/1 A (0.1 A DC) | ? 최소 50 μs 펄스 폭과 2 μs 분해능 ? 펄스형 정밀 측정을 위한 오실로스코프 뷰 | ||
커패시턴스 측정 | B1520A 다중 주파수 커패시턴스 측정 장치 (MFCMU) | ? 1 kHz ~ 5 MHz 주파수 범위 ? 기본 25 V DC 바이어스 (SMU와 SCUU를 사용할 경우 100 V DC 바이어스) | ? AC 임피던스 측정 (C-V, C-f, C-t) ? SCUU를 통한 자동 스위칭을 바탕으로 하는 쉽고 빠르고 정확한 IV 및 CV 측정 | |
초고속 펄스형 및 Transient IV 측정 | B1530A 파형 발생기 /고속 측정장치 (WGFMU) | ? 파형 발생 시 10 ns 프로그래밍 가능 분해능 ? 200 MSa/s 동시 고속 측정 ? 10 V 피크 투 피크 출력 | ? 로드 라인 효과 없음, SMU 기반 기술을 활용한 정확한 펄스형 IV 측정 ? NBTI/PBTI, RTN 등과 같은 고급 어플리케이션용으로 사용 가능 | |
펄스 발생 | B1525A 고전압 반도체 펄스 발생기 장치 (HV-SPGU) | ? 최고 ± 40 V 고전압 출력 | ? 각 채널의 2단계 및 3단계 펄스 및 임의 파형 발생 기능 ? 비휘발성 메모리 테스트에 이상적 | |
초고속 펄스형 고유전율 / SOI 평가용 | B1542A 10 ns 펄스형 IV 파라메트릭 테스트 솔루션 | ? 2 ns의 상승, 하강 시간을 포함한 최소 10 ns의 게이트 펄스 폭 ? 1 μs 전류 측정 분해능 | ? 정확한 Id-Vd 및 Id-Vg 측정 ? DC 및 펄스형 측정 간 손쉬운 전환 |
(제품사양서) B1500A Semiconductor Device Analyzer | 다운 |