(주)가이던트

테스트

적용 범위

지원 모듈

주요 사양

주요 특징

DC 및 펄스형

 IV 측정

B1510A 고전력 소싱

/측정 장치 (HPSMU)

• 최고 200 V/1A 

• 최소 10 fA/2 μV 분해능

• 최소 100 μs 샘플링 

 (타임 도메인) 측정 

• 최소 500 μs 펄스폭과

 100 μs 분해능 

• 준정적 커패시턴스 전압 

 (QSCV) 측정 및 누설 전류 보상

• 4-사분면 작동 

• Kelvin(4-와이어) 연결 

• 스폿, 스위프, 기타 기능

B1511B 중전력 소싱

/측정 장치 (MPSMU)

• 최고 100 V/0.1 A 

• 최소 10 fA/0.5 μV 분해능

• 0.1 fA 및 IV/CV 스위칭을 위한 ASU 옵션

B1517A 고분해능 소싱

/측정 장치 (HRSMU)

• 최고 100 V/0.1 A 

• 최소 1 fA/0.5 μV 분해능 

• 0.1 fA 및 IV/CV 스위칭을 위한 ASU 옵션

B1514A 50 μs 펄스 중전류 소싱

/측정 장치 (MCSM U)

최고 30 V/1 A (0.1 A DC)

• 최소 50 μs 펄스 폭과 2 μs 분해능 

• 펄스형 정밀 측정을 위한 오실로스코프 뷰

커패시턴스 측정

B1520A 다중 주파수 

커패시턴스 측정 장치 (MFCMU)

• 1 kHz ~ 5 MHz 주파수 범위

• 기본 25 V DC 바이어스 

(SMU와 SCUU를 사용할 경우 100 V DC 바이어스)

• AC 임피던스 측정 (C-V, C-f, C-t) 

• SCUU를 통한 자동 스위칭을 바탕으로 하는

 쉽고 빠르고 정확한 IV 및 CV 측정

초고속 펄스형 

및 Transient IV

 측정

B1530A 파형 발생기

/고속 측정장치 (WGFMU)

• 파형 발생 시 10 ns 프로그래밍 가능 분해능 

• 200 MSa/s 동시 고속 측정 

• 10 V 피크 투 피크 출력

• 로드 라인 효과 없음, SMU 기반 기술을 

활용한 정확한 펄스형 IV 측정 

• NBTI/PBTI, RTN 등과 같은 고급 

어플리케이션용으로 사용 가능

펄스 발생

B1525A 고전압 반도체 

펄스 발생기 장치 (HV-SPGU)

• 최고 ± 40 V 고전압 출력

• 각 채널의 2단계 및 3단계 펄스 및 임의 파형 발생 기능 

• 비휘발성 메모리 테스트에 이상적

초고속 펄스형 

고유전율

/ SOI 평가용

B1542A 10 ns 펄스형 

IV 파라메트릭 테스트 솔루션

• 2 ns의 상승, 하강 시간을 포함한 최소 

10 ns의 게이트 펄스 폭 

• 1 μs 전류 측정 분해능

• 정확한 Id-Vd 및 Id-Vg 측정 

• DC 및 펄스형 측정 간 손쉬운 전환